Memoria Desk Ddr4 4gb/2400 Kingston – KVR26N19S8/4
R$213,74
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SKU:
KVR26N19S8/4
Categorias: Hardwares, Memórias RAM
Tags: Kingston KVR26N19S8/4, Memória 4GB DDR4 Kingston KVR26N19S8/4, Memoria ddr4, Memória DDR4 2400MHz, Memória DDR4 Kingston KVR26N19S8/4, Memória de 4GB, Memória de 4GB 2400MHz, Memória de 4GB DDR4, Memória de 4GB Kingston KVR26N19S8/4, Memória Desk 4GB DDR4 2400MHz Kingston KVR26N19S8/4, Memória Desk 4GB DDR4 Kingston KVR26N19S8/4, Memoria Desk Ddr4, Memória Desk DDR4 Kingston KVR26N19S8/4, Memória Desk Kingston, Memória Kingston, Memória Kingston 4GB, Memória Kingston 4GB DDR4, Memória Kingston DDR4, Memória Kingston KVR26N19S8/4, Memória KVR26N19S8/4
Descrição
Características:
– Marca: Kingston
– Modelo: KVR26N19S6/4Especificações Técnicas:
– Capacidade: 4GB
– Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
– 288-Pin DIMM
– CL (IDD): 19 ciclos
– Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
– Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
– Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
– Potência Máxima de Operação – TBD W*
– Classificação UL 94 V – 0
– Temperatura de operação – 0oC a +85oC
– Temperatura de armazenamento – -55oC a + 100oC
– A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
– Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
– VDDQ = 1,2V Típico
– VPP = 2.5V Típico
– VDDSPD = 2,2V a 3,6V
– Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
– Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
– Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
– Geração e calibração VREFDQ no DIE
– Single Rank
– EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
– 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
– Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
– BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
– Topologia fly-by
– Comando de controle e barramento de endereços com terminação
– PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
– Em conformidade com RoHS e sem halogênios
– Marca: Kingston
– Modelo: KVR26N19S6/4Especificações Técnicas:
– Capacidade: 4GB
– Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
– 288-Pin DIMM
– CL (IDD): 19 ciclos
– Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
– Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
– Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
– Potência Máxima de Operação – TBD W*
– Classificação UL 94 V – 0
– Temperatura de operação – 0oC a +85oC
– Temperatura de armazenamento – -55oC a + 100oC
– A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
– Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
– VDDQ = 1,2V Típico
– VPP = 2.5V Típico
– VDDSPD = 2,2V a 3,6V
– Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
– Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
– Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
– Geração e calibração VREFDQ no DIE
– Single Rank
– EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
– 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
– Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
– BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
– Topologia fly-by
– Comando de controle e barramento de endereços com terminação
– PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
– Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da Embalagem:
– Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 – Kvr26n19s6/4
Informação adicional
| Peso | 20 g |
|---|---|
| Dimensões | 10 × 4,7 × 0,5 cm |
| Marca |
Kingston |
| Cor |
Verde |
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