– Marca: Kingston
– Modelo: KVR26N19S6/4Especificações Técnicas:
– Capacidade: 4GB
– Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
– 288-Pin DIMM
– CL (IDD): 19 ciclos
– Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
– Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
– Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
– Potência Máxima de Operação – TBD W*
– Classificação UL 94 V – 0
– Temperatura de operação – 0oC a +85oC
– Temperatura de armazenamento – -55oC a + 100oC
– A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
– Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
– VDDQ = 1,2V Típico
– VPP = 2.5V Típico
– VDDSPD = 2,2V a 3,6V
– Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
– Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
– Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
– Geração e calibração VREFDQ no DIE
– Single Rank
– EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
– 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
– Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
– BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
– Topologia fly-by
– Comando de controle e barramento de endereços com terminação
– PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
– Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da Embalagem:
– Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 – Kvr26n19s6/4
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